MEIX HTC-612D Semiconductor Vacuum Oven
MEIX HTC-612D Semiconductor Vacuum Oven

MEIX HTC-612D 半导体真空回流焊

MEIX HTC-612D 半导体真空回流焊此设备采用进口平台生产,具有自主知识产权的真空回流焊,产品针对半导体功率器件、IGBT等大功率模块,需要高温焊接的产品。
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Products Description

MEIX HTC-612D 半导体真空回流焊此设备采用进口平台生产,具有自主知识产权的真空回流焊,产品针对半导体功率器件、IGBT等大功率模块,需要高温焊接的产品。


此设备采用工控嵌入式控制系统,系统采用双CPU运算,可以脱离电脑(电脑死机)独立运行,不仅稳定可靠而且温度控制更加精确。


此设备采用超高温使用环境设计,可以满足超高温产品的焊接需求。


设备支持关键焊接参数的配方功能、支持MES远程数据读取。


分步抽真空设计,最多可分5步抽真空。


专利密封圈水冷结构,不仅寿命更长,使用成本更低,而且减少了密封不良造成的昂贵的产品损坏。


最大真空度可以达到 0.1KPa ,Void Single<1% ,Total<2%。


最快循环时间 30s / per cycle、真空回流焊行业效率最高。


热机时间约30min。


炉腔运风采用微循环运风,温区内部温差更小。


基本参数

型号

HTC-612D
尺寸(mm)

L6300*D1450*H1560

重量

约:3000kg
加热区数量

上6/下6

冷却区数量

上2/下2
冷却方式

强制冰冷却

排气要求

10m3 /H*2
空洞率

约:1%-2%

控制系统

电源要求

3P 380V 50/60Hz
总功率

60千瓦

分段启动功率

35千瓦
功率消耗

约:12KW-18KW

热风机调速

变频器无级调速
加热时间

大约:30 分钟

控温范围

室温~400℃可设定
制作配方

可存储多种组合生产配方

运输

轨道

单轨

轨道结构

3段组合结构
治具尺寸(mm)

长330*深250

运输高度(mm)

900±20
输送方式

等距推板

真空系统

最低真空压力

0.1Kpa
真空泵流量

约:1000升/分钟

泄压时间

≤10秒
生产效率

≥40秒

可选氮气系统

氮气

完全/部分充氮

氮气系统

自动的
氮消耗量

大约:300-500升/分钟


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