MEIX HSM-1013VNL Semiconductor Vacuum Oven
MEIX HSM-1013VNL Semiconductor Vacuum Oven

MEIX HSM-1013 VNL半導体真空オーブン

この装置はのために専門にされる半導体の真空のはんだ付けする装置の国際的な封鎖そして独占を壊す独立した知的財産権と、熱心に造られる輸入されたプラットホームを使用しますSOP、SOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LEDなどの真空チップパッケージをはんだ付けする。
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Products Description

MEIX HSM-1013 VNL半導体真空オーブン、この装置は輸入プラットフォームを使用し、専用に構築され、独立した知的財産権を持ち、半導体真空はんだ付け装置の国際的な封鎖と独占を破り、1172 7 7 9 84001 SOP、SOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LEDおよびその他の真空チップパッケージはんだ付けに特化しています。


This装置は産業用組み込み制御システムを採用し、デュアルCPU計算を備え、コンピュータから独立して実行できます(コンピュータクラッシュ)、安定して信頼性が高く、温度制御がより正確であり、交換可能な加熱モジュールを提供し、温度差による錫のフライ現象を効果的に解決します。


Exclusive特許取得済みのフラックス&ペースト収集システムは、装置のメンテナンスとクリーニングを削減します。


The機は、主要なはんだ付けパラメータとMESリモートデータ読み取りのレシピ機能をサポートしています。


Intelligent窒素モニタリングおよび制御システムは、ガスを節約するだけでなく、シールリングの水冷構造は、寿命が長く、使用コストが低くなるだけでなく、シール不良による製品の損傷も軽減します。pressure

2最大真空は0に達することができます。1 KPa、ボイド率:シングルボイド率consumption

APPROX最速サイクルタイムは25秒で、最高効率で加熱時間は約30分です。


PerfectはASMおよび国内のDB機器に適合します。


Models

HSM-1013VNLDimension(mm)L2800*D1450*H1818

Weight

APPROX: 1550 KG上部加熱zones3

Top加熱method

Thermal輻射数下部加熱zones10

Bottom加熱method

ContactingNumber冷却zone3

Number真空zones

1Heatingパネルlength340mm

Heatingパネルwidth

120mmProduct厚さ0.2-5mm

Productionefficiency

120PCS/HMax。温度420℃1172 7 7 9 84001 Min。O 2content

50ppmHeatingパネル温度差3℃1172 7 7 9 84001supply

3P380 V 50/60 Hz総power35kw

Powerconsumption

8kwCompressed空気圧力5 kg/cm2

Protection空気


The.5 kg/cm2水流量10-25 L/min 1172 7 9 84001 N 2


The:150-200 L/minボイド率Appx。:

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